Samsung, tramite un post sul proprio blog ufficiale, ha appena comunicato l’inizio della produzione di massa di componenti hardware che ridefiniranno la nozione di “flash storage” sui dispositivi mobile. Si tratta delle nuove memorie eUFS (un’estensione del tradizionale paradigma di Universal Flash Storage) da 512 GB, che permetteranno di incrementare le performance di smartphone, tablet e smart gadget in maniera esponenziale durante le fasi di lettura e scrittura delle informazioni.
Le nuove eUFS da 512 GB Samsung sono incentrate sulla tecnologia V-NAND 64 layer, che ha permesso di raddoppiare la portata delle precedenti eUFS create dalla casa coreana. Dal momento che la novità è stata annunciata prima di fine anno, ci sono possibilità, anche se non confermate ad oggi, che le nuove memorie flash vengano installate “a sorpresa” sui futuri flagship Android Galaxy S9 e S9 Plus, ed ovviamente anche Galaxy Note 9. Si eliminerebbe così a livello teorico la necessità di microSD di dimensioni abbastanza contenute, per fare affidamento principalmente sulla memoria del dispositivo.
Le nuove eUFS (Embedded Universal Flash Storage) di Samsung promettono transfer rate particolarmente interessanti: velocità di lettura sequenziale da 860 MB/s e velocità di scrittura sequenziale a 255 MB/S; mentre i valori di accesso random ai dati raggiungono i 42.000 IOPS (ovvero il numero di operazioni di input e output al secondo). Dal momento che l’interesse degli utenti per soluzioni storage che oltrepassino i limiti degli ormai obsoleti hard disk a piatti cresce sempre più, sicuramente la soluzione del brand coreano ispirerà la creazione di nuovi SSD e memorie flash in generale, di sempre maggior densità e compatibilità con smartphone di diversi produttori.
